Una memoria que recuerda aunque esté apagada

Una memoria que recuerda aunque esté apagada. Que escribe datos en nanosegundos. Que funciona con menos de un voltio.

Científicos del Instituto Fraunhofer de Microsistemas Fotónicos y la empresa GlobalFoundries acaban de desarrollar una memoria FRAM basada en óxido de hafnio que podría cambiar la forma en que todos los dispositivos electrónicos almacenan y procesan información.

El principio es elegante: determinados átomos dentro del material cambian de posición en una estructura cristalina generando estados de polarización distintos que representan los datos almacenados. Cuando el dispositivo se apaga, los átomos no se mueven. La información permanece.

El resultado es una memoria no volátil, ultrarrápida y de bajísimo consumo que opera con tensiones inferiores a 1 voltio, una fracción de lo que requieren las memorias convencionales.

La ventaja estratégica es que el óxido de hafnio ya forma parte de los procesos de fabricación de semiconductores modernos. No hace falta construir nuevas fábricas ni desarrollar materiales exóticos. La tecnología es compatible con la infraestructura industrial existente.

Las aplicaciones son inmediatas: dispositivos médicos implantables con mayor autonomía, sensores industriales que operan años sin mantenimiento, vehículos autónomos que procesan datos sin depender de la nube y hogares inteligentes que consumen una fracción de la energía actual.

La revolución energética no solo viene de los paneles solares y las turbinas eólicas. También viene de memorias que consumen menos que una pila.

Fuente: EcoInventos

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